以InAs單晶為襯底可生長InAsSb/InAsPSb,InNAsSb等異質結材料和InAs/GaSb超晶格結構材料，可制作波長2～14μm的紅外發光器件和中紅外量子級聯激光器，這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信等領域具有良好的應用前景。此外，InAs單晶具有很高的電子遷移率，是一種制作Hall器件的理想材料。
400-623-5308（9:00-12:00；13:00-17:30）
